Markus Weyers

Markus Weyers

Dept. Head Materials Technology, Ferdinand-Braun-Institut
在 fbh-berlin.de 的电子邮件经过验证
被引用次数：15493
AlGaN MOVPE GaAs VCSELs
Jairo Arbey Rodríguez Martínez

Jairo Arbey Rodríguez Martínez

Universidad Nacional
在 unal.edu.co 的电子邮件经过验证
被引用次数：7200
DFT surfaces GaN AlGaN
Chandan Joishi

Chandan Joishi

Research Scientist, The Ohio State University
在 osu.edu 的电子邮件经过验证
被引用次数：2169
Wide-bandgap Devices Gallium Oxide Gallium Nitride AlGaN
Martin Guttmann

Martin Guttmann

Ferdinand-Braun-Institut & Institute of Solid State Physics, Technische Universität Berlin
在 physik.tu-berlin.de 的电子邮件经过验证
被引用次数：1595
deep UV LEDs AlGaN electroluminescence ray-tracing simulation
Markus Heyne, PhD

Markus Heyne, PhD

ams OSRAM
在 ams-osram.com 的电子邮件经过验证
被引用次数：1037
plasma etch LED AlGaInP AlGaN
Zohra Benzarti

Zohra Benzarti

Professeur de Physique, Faculté des Sciences de Sfax, Université de Sfax
被引用次数：786
Semiconducteurs: GaN AlGaN InGaN ZnO Pérovskites céramiques et hybrides
Yingdong Tian

Yingdong Tian

Institute of Semiconductors, CAS.
在 semi.ac.cn 的电子邮件经过验证
被引用次数：598
GaN AlGaN LED Laser MOCVD
Hao Xue

Hao Xue

NRC Canada, The Ohio State University
在 osu.edu 的电子邮件经过验证
被引用次数：596
UWBG AlGaN AlN
Haicheng Cao

Haicheng Cao

Postdoc, King Abdullah University of Science and Technology
在 kaust.edu.sa 的电子邮件经过验证
被引用次数：572
UWBG semiconductors Power/Optoelectronic devices AlN AlGaN MOCVD
Daniel Nilsson

Daniel Nilsson

Postdoc semiconductor materials, Linköpings University
在 ifm.liu.se 的电子邮件经过验证
被引用次数：500
semiconductors AlGaN SiC LED HEMT
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