Shu Yang

Shu Yang

University of Science and Technology of China; HKUST; University of Cambridge
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Power electronics Gallium nitride (GaN) Interface engineering
Yunyou Lu

Yunyou Lu

Apple Inc.
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被引用次数：1430
Power devices Electron devices Microelectronics Gallium nitride (GaN)
ahmed chakroun

ahmed chakroun

3IT: Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique, Université de Sherbrooke
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Gallium nitride (GaN) surface passivation HEMT AlGaN/GaN
Bhanu B. Upadhyay

Bhanu B. Upadhyay

GaN Device Characterization and Modelling, Infineon Technologies, Munich
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Gallium Nitride (GaN) HEMT Fabrication Characterization Modelling
Takeru KUMABE

Takeru KUMABE

Nagoya University / TSMC
在 nagoya-u.jp 的电子邮件经过验证
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Gallium Nitride (GaN) Aluminum Nitride (AlN) Polarization Doping Bipolar Devices