Liang Wang

Liang Wang

University of Illinois at Urbana-Champaign, Texas Instruments
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被引用次数：59490
GaN InAlAs/InGaAs HEMTs fabrication characterization metallization
Tomás Palacios

Tomás Palacios

MIT
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被引用次数：40218
semiconductor devices and materials GaN transistors graphene
Thomas Mikolajick

Thomas Mikolajick

Scientific Director, NaMLab GmbH and Professor for Nanoelectronics, TU Dresden
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semiconductor materials and devices nonvolatile memory microelectronics ferroelectrics GaN
Seong-Ju Park

Seong-Ju Park

Gwangju Institute of Science and Technology, Korea
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被引用次数：28197
GaN ZnO Si QD LED
Michael A Reshchikov

Michael A Reshchikov

Professor of Physics, Virginia Commonwealth University
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Semiconductor physics Photoluminescence GaN defects
Yifeng Wu

Yifeng Wu

GaNext
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被引用次数：19177
Power devices GaN Power electronics
Michael Spencer

Michael Spencer

Cornell University OR Howard Universtiy OR Morgan State University
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被引用次数：18516
semiconductors graphene SiC AlN GaN
Eva Monroy

Eva Monroy

CEA, IRIG, PHELIQS-NPSC, Grenoble, France
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被引用次数：14889
semiconductors GaN photodetectors photonics nanotechnology
jincheng zhang

jincheng zhang

Xidian University
被引用次数：14264
GaN wide bandgap semiconductor materials and …
zhancang wang

zhancang wang

Ericsson
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被引用次数：10770
RF RFIC CMOS GaN GaAs
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