Michal Bockowski

Michal Bockowski

Institute of High Pressure Physics PAS
在 unipress.waw.pl 的电子邮件经过验证
被引用次数：9815
gallium nitride GaN semiconductors II-VI III-V
Wei Bai（白伟）

Wei Bai（白伟）

East China Normal University (ECNU)
在 mail.sitp.ac.cn 的电子邮件经过验证
被引用次数：1666
MBE II-VI Magnetic Semiconductor AMR Ferroelectrics and Multiferroics
Lutsenko Evgenii

Lutsenko Evgenii

Assistant Professor
在 ifanbel.bas-net.by 的电子邮件经过验证
被引用次数：1367
laser LED III-V II-VI AlInGaN
Frank M. Kiessling

Frank M. Kiessling

Leibniz Institut für Kristallzüchtung
在 ikz-berlin.de 的电子邮件经过验证
被引用次数：1132
Crystal growth silicon II-VI III-V point defects
Tomoki Abe

Tomoki Abe

Tottori University
在 tottori-u.ac.jp 的电子邮件经过验证
被引用次数：439
semiconductor II-VI photodiode optical modulator
Rajib Saha

Rajib Saha

Institute Postdoctoral Fellow, Indian Institute of Technology Bombay
在 iitb.ac.in 的电子邮件经过验证
被引用次数：433
III-V II-VI Optoelectronicdevices Perovskites