Application of High Uniaxial Strain Methods for Semiconductor Parameter Determination V Kolomoets, V Ermakov, L Panasyuk, S Fedosov, B Orasgulyev, ... Physica B: Condensed Matter 417, 46–48, 2013 | 12 | 2013 |
Influence of uniaxial deformation on the filling of the level associated with A-center in n-Si crystals AV Fedosov, SV Luniov, SA Fedosov Ukr J Phys 56 (1), 69-73, 2011 | 12 | 2011 |
Вплив одновісної пружної деформації на положення та ступінь заповнення глибокого рівня Ec-0,2 еВ у монокристалах n-Ge<Au> СА Федосов, СВ Луньов, ДА Захарчук, ЛІ Панасюк, ЮВ Коваль Наук. вісн. Волин. нац. ун-ту ім. Лесі Українки : Фіз. науки, 39–45, 2011 | 11* | 2011 |
Silicon p-MOS and n-MOS transistors with uniaxially strained channels in electronic device nanotechnology AE Gorin, GV Gromova, VM Ermakov, PP Kogoutyuk, VV Kolomoets, ... Ukr. J. Phys 56 (9), 917-921, 2011 | 11 | 2011 |
Specific features of intervalley scattering of charge carriers in n-Si at high temperatures AV Fedosov, SV Luniov, SA Fedosov Semiconductors 44 (10), 1263-1265, 2010 | 11 | 2010 |
Deformation potential constants Ξu and Ξd in n-Si determined with the use of the tensoresistance effect SV Luniov, LI Panasiuk, SA Fedosov Ukrainian journal of physics 57 (6), 636–641, 2012 | 9 | 2012 |
Кремнієві р-МОН та n-МОН транзистори з одновісно деформованими каналами у нанотехнології електронних приладів АЄ Горін, ГВ Громова, ВМ Єрмаков, ПП Когутюк, ВВ Коломоєць, ... Український фізичний журнал 56 (9), 920-925, 2011 | 7 | 2011 |
Особливості п’єзоопору γ-опромінених кристалів n-Si у випадку симетричного розміщення осі деформації відносно всіх ізоенергетичних еліпсоїдів АВ Федосов, СВ Луньов, СА Федосов Укр. фiз. журн. 55 (3), 323-326, 2010 | 7 | 2010 |
Константи деформаційного потенціалу Ξu та Ξd у n-Si, визначені методом тензорезистивного ефекту СВ Луньов, ЛІ Панасюк, СА Федосов Український фізичний журнал 57 (6), 637–642, 2012 | 6 | 2012 |
Вплив одновісної деформації на заповнення рівня, пов’язаного з А–центром, у кристалах n-Si АВ Федосов, СВ Луньов, СА Федосов Український фізичний журнал 56 (1), 70-74, 2011 | 6 | 2011 |
Peculiarities of piezoresistance of γ-irradiated n-Si crystals in the case of symmetric position of the deformation axis relative to all isoenergetic ellipsoids AV Fedosov, SV Luniov, SA Fedosov Ukrayins' kij Fyizichnij Zhurnal (Kyiv) 55 (3), 323-326, 2010 | 6 | 2010 |
The influence of uniaxial elastic deformation on the position and the degree of filling of the deep level EC–0.2 eV in n-Ge〈 Au〉 single crystals SA Fedosov, SV Lunev, DA Zakharchuk, LI Panasyuk, YV Koval Naukovyi Visnyk Volyns’ koho Universytetu im. Lesi Ukrainki. Fizuchni Nauki …, 2011 | 5* | 2011 |
Особенности междолинного рассеяния носителей тока в n-Si при высоких температурах АВ Федосов, СВ Лунёв, СА Федосов Физика и техника полупроводников 44 (10), 1307-1309, 2010 | 5 | 2010 |
Визначення швидкості зміщення глибоких енергетичних рівнів в монокристалах кремнію при одновісній пружній деформації АВ Федосов, СВ Луньов, ДА Захарчук, СА Федосов, ВС Тимощук Наук. вісн. Волин. нац. ун-ту ім. Лесі Українки : Фіз. науки, 54, 2008 | 5* | 2008 |
Determination of the velocity of shift of deep energy levels in silicon single crystals under the uniaxial deformation AV Fedosov, SV Luniov, DA Zaharchuk, SA Fedosov, V Timoschuk Sci. Bull. Lesya Ukr. Volyn Natl. Univ. Phys. Sci., 54-58, 2008 | 5 | 2008 |
Features of Structural Inhomogeneities in Doped Cadmium Antimonide Crystals YV Koval, DA Zakharchuk, LV Yashchinskiy, LI Panasjuk, SА Fedosov Phys. Chem. Solid State 18 (3), 321–323, 2017 | 4 | 2017 |
Determination of the constant of the deformation potential Ξd in n-Ge by the piezoresistance method AV Fedosov, SV Lunov, SA Fedosov Nauk. visnyk Volynskoho nats. un-tu im. Lesi Ukrainky. Fiz. nauky, 38-44, 2010 | 4 | 2010 |
Інформаційний пошук і робота з бібліотечними ресурсами : навчальний посібник ЖО Кормош, СВ Супрунович, СА Федосов, ОВ Замуруєва Луцьк : Вежа-Друк, 2020 | 3 | 2020 |
Vplyv odnovisnoi deformatsiyi na zapovnennia rivnia, poviazanoho z A-tsentrom, u krystalakh n-Si AV Fedosov, SV Lunov, SA Fedosov Ukrainskyi fizychnyi zhurnal 56 (1), 70-74, 2011 | 3 | 2011 |
Влияние одноосной упругой деформации на подвижность носителей тока в монокристаллах n Si при наличии глубоких энергетических уровней АВ Федосов, СВ Лунёв, СА Федосов Взаимодействие излучений с твердым телом (ВИТТ-2009) : 8-й Междунар. конф …, 2009 | 3 | 2009 |