关注
Gorbatsevich AS
Gorbatsevich AS
Belarusian State University, Physics Department, 4 Nezavisimosti Av., 220030 Minsk, Belarus
在 bsu.by 的电子邮件经过验证
标题
引用次数
引用次数
年份
Bleaching effect in passive regions of powerful 1.02 μm InGaAs/AlGaAs DQW laser diodes with ridged waveguide structure
GI Ryabtsev, TV Bezyazychnaya, MV Bogdanovich, VV Parastchuk, ...
Applied Physics B 90, 471-476, 2008
182008
Polarization switching in single-mode injection semiconductor laser
M Jadan, LI Burov, AS Gorbatsevich, ES Sokolov
Journal of Applied Spectroscopy 76, 678-684, 2009
92009
Переключение поляризации излучения в одномодовом инжекционном полупроводниковом лазере
М Джадан, ЛИ Буров, АС Горбацевич, ЕС Соколов
Журнал прикладной спектроскопии 76 (5), 717-724, 2009
82009
Optical parameters of diode lasers based on an InAsSb/InAsSbP heterostructure
AP Astakhova, TV Bez” yazychnaya, LI Burov, AS Gorbatsevich, ...
Semiconductors 42, 228-231, 2008
82008
Динамика переключения поляризации излучения в одномодовом инжекционном полупроводниковом лазере
М Джадан, ЛИ Буров, АС Горбацевич, ЕС Соколов
Журнал прикладной спектроскопии 77 (1), 74-81, 2010
62010
Stashkevich IV. Cavity dumping by the second harmonic generation
AS Gorbatsevich, RI Navitskaya
Journal of the Belarusian State University. Physics 2, 57-62, 2017
52017
The induced amplification dichroism in surface-emitting semiconductor lasers
LI Burov, AS Gorbatsevich, PM Lobatsevich
Vestnik BGU. Ser. 1, Fiz. Mat. Inform, 63-70, 2016
52016
Point model for describing the polarization parameters of a single-mode semiconductor laser
M Jadan, LI Burov, AS Gorbatsevich
Journal of Applied Spectroscopy 79, 577-582, 2012
52012
Dynamics of polarization switching in single-mode injection semiconductor lasers.
M Jadan, LI Burov, AS Gorbatsevich, ES Sokolov
Journal of Applied Spectroscopy 77 (1), 2010
52010
Оптические параметры диодных лазеров на основе InAsSb/InAsSbP-гетероструктуры
АП Астахова, ТВ Безъязычная, ЛИ Буров, АС Горбацевич, АГ Рябцев, ...
Физика и техника полупроводников 42 (2), 228-232, 2008
52008
Dependence of functional parameters of sine-gated InGaAs/InP single-photon avalanche diodes on the gating parameters
A Losev, V Zavodilenko, A Koziy, Y Kurochkin, A Gorbatsevich
IEEE Photonics Journal 14 (2), 1-9, 2022
42022
Наведенный дихроизм усиления в поверхностно излучающих полупроводниковых лазерах
ЛИ Буров, АС Горбацевич, ПМ Лобацевич
Минск: БГУ, 2016
42016
MV Bogda novich, VV Parastchuk, AI Yenzhyieuski, LI Burov, AS Gorbatsevich, AG Ryabtsev, MA Shchemelev, VV Bezotosnyi, KA Shore, and S. Banerjee
GI Ryabtsev, TV Bezyazychnaya
Appl. Phys. B 90, 471, 2008
42008
The effect of VCSEL intrinsic dynamics on polarization bistability
M Jadan, J Addasi, MH Flaifel, LI Burov, AS Gorbatsevich, ...
Results in Physics 14, 102379, 2019
32019
Polarization component method for calculation of the multiple-frequency lasing regime
LI Burov, IN Baraksa, AS Gorbatsevich
Journal of Applied Spectroscopy 74, 385-389, 2007
32007
Метод поляризационных компонент для расчета многочастотного режима генерации
ЛИ Буров, ИН Варакса, АС Горбацевич
Журн. прикл. спектр 74 (3), 346-350, 2007
3*2007
Investigating the coherent state detection probability of InGaAs/InP SPAD-Based Single-Photon detectors
A Koziy, A Tayduganov, A Losev, V Zavodilenko, A Gorbatsevich, ...
arXiv preprint arXiv:2104.07952, 2021
22021
Влияние ориентационной анизотропии параметров поверхностно излучающих полупроводниковых лазеров на возможность получения поляризационных переключений
ЛИ Буров, АС Горбацевич, ПМ Лобацевич
Журнал Белорусского государственного университета. Физика, 51-57, 2018
22018
Переходные процессы при поляризационных переключениях в поверхностно излучающих полупроводниковых лазерах
ЛИ Буров, АС Горбацевич, ПМ Лобацевич
Журнал Белорусского государственного университета. Физика, 17-24, 2018
22018
Spectral-polarization radiation composition of surface-emitting semiconductor lasers in polarization instability region
LI Burov, AS Gorbatsevich, ES Sokolov
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРЫ И СИСТЕМЫ НА ИХ ОСНОВЕ, 175, 2015
22015
系统目前无法执行此操作,请稍后再试。
文章 1–20