| Оптимизация надежности кремниевых pin-фотодиодов по темновому току АА Ащеулов, ВН Годованюк, ЮГ Добровольский, ВВ Рюхтин, ... Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 1999 | 13 | 1999 |
| Silicon p–i–n photodiode of increased pulse responsivity MS Kukurudziak, YG Dobrovolsky Technology and design in electronic equipment, 1-2, 2021 | 9 | 2021 |
| Охладители Пельтье повышенной надежности для фотоприемников АА Ащеулов, АГ Шайко-Шайковский, АВ Клепиковский, ... | 9 | 2016 |
| Воздействие электрического и магнитного полей на параметры полупроводниковых приборов АА Ащеулов, ЮГ Добровольский, ВА Безулик Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2000 | 9 | 2000 |
| Использование эффекта Кирлиан для контроля качества полупроводниковых пластин ЮГ Добровольский Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 1999 | 9 | 1999 |
| The device for electrostimulation" VEB-1" modulates parameters of electroencephalogram and gas discharge visualization BM Kindzer, VY Babelyuk, NV Babelyuk, IL Popovych, GI Dubkova, ... Science and society. Proc. of the 11th internat. confer. Acent Grafics …, 2019 | 8 | 2019 |
| pin Photodiode Based on Silicon with Short Rise Time YG Dobrovolsky, OP Andreeva, MS Gavrilyak, LJ Pidkamin, GV Prokhorov Sumy State University, 2018 | 8 | 2018 |
| Structural parameters and polarization properties of TiN thin films, prepared by reactive magnetron sputtering MM Solovan, VV Brus, LJ Pidkamin, PD Maryanchuk, YG Dobrovolsky Proc. SPIE 9809, 980910, 2015 | 8 | 2015 |
| Кремниевые p–n-фотодиоды для ближней ультрафиолетовой области спектра ЮГ Добровольский, ВВ Рюхтин, АБ Шимановский Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2001 | 8 | 2001 |
| Silicon pin photodiode with little value of dark current AA Ashcheulov, VM Godovanjuk, YG Dobrovolsky Proc. SPIE 3890, 119-124, 1999 | 8 | 1999 |
| Радиометры энергетической освещенности на анизотропных термоэлементах ИМ Пилат, БГ Шабашкевич, СИ Пироженко Оптический журнал 67 (3), 83-85, 2000 | 7 | 2000 |
| Дослідження впливу певних комбінацій електричного та магнітного полів на властивості напівпровідникових приладів АА Ащеулов, ЮГ Добровольський, ІС Романюк Науковий вісник Чернівецького університету. Фізика, 173-176, 1998 | 7 | 1998 |
| Silicon photodiode and preamplifier operation characteristic properties under background radiation conditions VM Hodovaniouk, IV Doktorovych, VK Butenko, VH Yuryev, ... Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2005 | 6 | 2005 |
| Состояние и перспективы микрофотоэлектронного комплекса в Черновицком регионе Украины ВН Годованюк, ЮГ Добровольский, СЭ Остапов, ИМ Раренко, ... Прикладная физика 3, 72-83, 2003 | 6 | 2003 |
| Исследование спинторсионного воздействия на параметры полупроводниковых приборов АА Ащеулов, ЮГ Добровольский, ВА Безулик Сознание и физическая реальность 6 (1), 27-30, 2001 | 6 | 2001 |
| Установка для повірки фотометрів ЛМ Боднар, ЛА Назаренко, ЮС Шульман, БГ Шабашкевич Збірник наукових праць ІІ Міжнародної науково-технічної конференції …, 1999 | 6 | 1999 |
| Model and algorithm of creation of silicon photodiod with high sensitivity in the middle infrared area of the spectrum Y Dobrovolsky, Y Sorokatyi Radioelectronic and Computer Systems, 98-107, 2022 | 5 | 2022 |
| Development of a hash algorithm based on cellular automata and chaos theory Y Dobrovolsky, G Prokhorov, M Hanzhelo, D Hanzhelo, D Trembach Eastern-European Journal of Enterprise Technologies 5 (9), 113, 2021 | 5 | 2021 |
| Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра ЮГ Добровольский Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 31-34, 2012 | 5 | 2012 |
| Фотоприемник ультрафиолетового излучения на основе фосфида галлия МП Биксей, ЮГ Добровольский, БГ Шабашкевич Прикладная физика, 97-100, 2005 | 5 | 2005 |
