受强制性开放获取政策约束的文章 - Chengan Lei了解详情
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Single-layer LaBr2: Two-dimensional valleytronic semiconductor with spontaneous spin and valley polarizations
P Zhao, Y Ma, C Lei, H Wang, B Huang, Y Dai
Applied Physics Letters 115 (26), 2019
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Broken-Gap Type-III Band Alignment in WTe2/HfS2 van der Waals Heterostructure
C Lei, Y Ma, X Xu, T Zhang, B Huang, Y Dai
The Journal of Physical Chemistry C 123 (37), 23089-23095, 2019
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Nonmetal-Atom-Doping-Induced Valley Polarization in Single-Layer Tl2O
X Xu, Y Ma, T Zhang, C Lei, B Huang, Y Dai
The Journal of Physical Chemistry Letters 10 (16), 4535-4541, 2019
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Prediction of two-dimensional antiferromagnetic ferroelasticity in an AgF 2 monolayer
X Xu, Y Ma, T Zhang, C Lei, B Huang, Y Dai
Nanoscale Horizons 5 (10), 1386-1393, 2020
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Nonvolatile Controlling Valleytronics by Ferroelectricity in 2H-VSe2/Sc2CO2 van der Waals Heterostructure
C Lei, X Xu, T Zhang, B Huang, Y Dai, Y Ma
The Journal of Physical Chemistry C 125 (4), 2802-2809, 2021
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Two-dimensional valleytronics in single-layer t-ZrNY (Y= Cl, Br) predicted from first principles
T Zhang, Y Ma, X Xu, C Lei, B Huang, Y Dai
The Journal of Physical Chemistry C 124 (37), 20598-20604, 2020
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Reversible nonvolatile control of anomalous valley Hall effect in a multiferroic van der Waals heterostructure
C Lei, X Li, Y Ma, Z Qian
Physical Review B 108 (15), 155431, 2023
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Tl2O/WTe2 van der Waals heterostructure with tunable multiple band alignments
Z He, Y Ma, C Lei, R Peng, B Huang, Y Dai
The Journal of Chemical Physics 152 (7), 2020
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Controllable dual-polarization valley physics in the strain-engineered 2D monolayer of VC 2 N 4
C Lei, S Cao, Z Gong, X Li, Y Ma, J Gao, J Bi, R Ahuja, Z Qian
Journal of Materials Chemistry C 12 (6), 2156-2164, 2024
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Two-Dimensional Ferroelastic Semiconductors in Nb2SiTe4 and Nb2GeTe4 with Promising Electronic Properties
T Zhang, Y Ma, X Xu, C Lei, B Huang, Y Dai
The Journal of Physical Chemistry Letters 11 (2), 497-503, 2019
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Valley polarization in monolayer CrX2 (X= S, Se) with magnetically doping and proximity coupling
C Lei, Y Ma, T Zhang, X Xu, B Huang, Y Dai
New Journal of Physics 22 (3), 033002, 2020
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