[PDF] ioffe.ru

[PDF][PDF] Электрофизические свойства и низкотемпературная фотолюминесценция монокристаллов CdTe, легированных Si

ОА Парфенюк, МИ Илащук… - Физика и техника …, 2006 - journals.ioffe.ru
Теллурид кадмия является одним из наиболее перспективных материалов класса
AIIBVI для полупроводникового приборостроения. Свойства данного соединения в …
被引用次数：13 相关文章
[PDF] ioffe.ru

[PDF][PDF] Электрофизические свойства и низкотемпературная фотолюминесценция монокристаллов CdTe, легированных Si

ОА Парфенюк, МИ Илащук… - Физика и техника …, 2006 - journals.ioffe.ru
Теллурид кадмия является одним из наиболее перспективных материалов класса
AIIBVI для полупроводникового приборостроения. Свойства данного соединения в …

Электрофизические свойства и низкотемпературная фотолюминесценция монокристаллов CdTe, легированных Si

ОА Парфенюк, МИ Илащук, КС Уляницкий… - Физика и техника …, 2006 - elibrary.ru
Методом Бриджмена выращены монокристаллы CdTe: Si с разными концентрациями
примеси Si: C 0 Si= 2· 10 18-5· 10 19 см-3. Образцы имели n-и p-типа проводимости …