40 奈米1.0 Mb 6T 管線化靜態隨機存取記憶體與三步階升壓型字元線和位元線降壓和適應性電壓偵測

廖偉男, 莊景德 - 2012 - ir.lib.nycu.edu.tw
近幾年來, 記憶體在許多電子產品中被廣泛運用, 因為記憶體的高操作速度與高效能. 另外,
因為靜態隨機存取記憶體也比其他種類的記憶體具有更高的操作速度, 所以靜態隨機存取記憶體 …

40 奈米1.0 Mb 6T 管線化靜態隨機存取記憶體與步階升壓型字元線和適應性數據感知寫入輔助設計

張琦昕, 莊景德 - 2011 - ir.lib.nycu.edu.tw
越來越多的記憶體被使用在今天的電子產品, 因此設計記憶體變得至關重要.
靜態隨機存取記憶體常用於高性能微處理器緩存和嵌入式系統應用, 因為它具有最高的運行速度 …

28 奈米高介電係數金屬閘極製程操縱在近/次臨界電壓之256kb 6T 靜態隨機存取記憶體

李光宇, 莊景德, 黃威 - 2015 - ir.lib.nycu.edu.tw
近年來, 由於靜態隨機存取記憶體具有較快的存取速度, 主要被廣泛應用在高效能的處理器以及
嵌入式系統中的快取記憶體. 簡單的架構, 快速的操作速度以及高容量密度的優勢, 傳統的 6T …

40 奈米製程技術操縱在低操縱電壓的256-Kb 8T 靜態隨機存取記憶體

張智皓, 莊景德 - 2013 - ir.lib.nycu.edu.tw
近年來, 許多新的替代性記憶體元件被提出以及研究, 由於靜態隨機存取記憶體具有較快的存取
速度, 主要被廣泛應用在高效能的處理器以及嵌入式系統中的快取記憶體. 由於簡單的架構 …

具備源級跟隨PMOS 讀取和位元線降壓電路的28 奈米36Kb 高速6T 靜態隨機存取記憶體

洪志豪, 周世傑 - 2014 - ir.lib.nycu.edu.tw
靜態隨機存取記憶體因為具有高速和高效能的特性, 因此被廣泛地運用在系統晶片中.
由於面積考量, 傳統6T 靜態隨機存取記憶體是現今的主流. 許多靜態隨機存取記憶體的設計是 …

具有低功耗與寫入輔助技術的40 奈米製程256Kb 6T 靜態隨機存取記憶體

鍾兆貴, 周世傑 - 2013 - ir.lib.nycu.edu.tw
由於靜態隨機存取記憶體的高運算速度和高性能, 近年來已被廣泛用於許多電子產品中. 此外,
靜態隨機存取記憶體也已廣泛應用於高性能微處理器的高速緩存區和嵌入式系統 …

[引用][C] 工作於次奈秒讀取且次毫瓦每千兆赫茲之28 奈米製程0.45 伏電壓之32Kb 5T 之靜態隨機存取記憶體與記憶體內運算架構

KH Tang - 交通大學電子工程系所學位論文, 2019 - airitilibrary.com
Chen, CH (2011). 實現在40 奈米製程技術下可操縱在低操縱電壓的512Kb 8T
靜態隨機存取記憶體[master's thesis, National Chiao Tung University]. airiti Library …

6T 靜態隨機存取記憶體的設計與特性分析

林宜緯, 莊景德 - 2010 - ir.lib.nycu.edu.tw
對於幾乎現今所有的電子設備都必須要用到記憶體來當作儲存媒介, 於是記憶體的操作效能變
掌握了整個系統的操作速度. 而因為靜態隨機存取記憶體有著比其他記憶體種類更高的操作速度 …

高陣列面積效率之次臨界電壓靜態隨機存取記憶體和資料感知保持器

胡育豪, 周世傑 - 2012 - ir.lib.nycu.edu.tw
靜態隨機存取記憶體在系統晶片中扮演著很重要的角色, 由於先進製程之變異量比以往嚴重,
而且在低電壓下的Ion/Ioff 比率較低, 傳統6T 和8T 靜態隨機存取記憶體在低電壓下無法正確操作 …

40 奈米製程技術操縱在低電壓的256Kb 8T 雙埠隨機存取記憶體

鄭銘慶, 莊景德 - 2014 - ir.lib.nycu.edu.tw
雙埠隨機存取記憶體因為有雙埠的特性, 被廣泛的運用在繪圖晶片和多媒體處理中.
雙埠的特性就是指說, 雙向隨機存取記憶體可以讓電腦的中央處理器在做圖片運算的同時讓硬體 …