Электронная структура AgCd2GaS4. Рентгеновский фотоэлектронный (РФ) спектр валентных электронов монокристалла AgCd2GaS4, выращенного методом Бриджмена, исследован в широком энергетическом интервале, который включал спектры внутренних электронов, расположенных на расстоянии до~ 80 эВ от нижнего края валентной зоны. Электронная структура соединения AgCd2GaS4 также рассчитана «из первых принципов» методом присоединенных плоских волн–полного потенциала (ППВ-ПП). Величины энергий связи (Есв) внутренних Cd4p-, Ag4p-и Ga3d-электронов, полученные теоретически для AgCd2GaS4 посредством ППВ-ПП метода, хорошо совпадают с экспериментальными значениями Есв, которые измерены для исследуемого кристалла с помощью РФ-спектроскопии. Выполнены совмещения кривых парциальных плотностей состояний составляющих атомов соединения AgCd2GaS4 в единой энергетической шкале с РФ-спектром валентных электронов.