Теллурид кадмия является одним из наиболее перспективных материалов класса AIIBVI для полупроводникового приборостроения. Свойства данного соединения в значительной мере определются взаимодействием между системами собственных и примесных дефектов, а также дефектно-примесных комплексов [1]. Для кристаллов CdTe, выращенных из жидкой фазы, типичными являются значительные концентрации фоновых примесей,∼ 1016 см− 3, которые могут находиться в электрически активном состоянии [2] и существенно влиять на свойства образцов при контролируемом легировании. Одна из наиболее распространенных фоновых примесей в CdTe—кремний. Основным источником загрязнения данным элементом являются кварцевые ампулы, в которых выращивают кристаллы. Согласно данным работы [2], в кристаллах CdTe, выращенных методом Бриджмена из исходных компонент чистоты 5N и дополнительно очищенных стандартными методами, концентрация кремния достигает 1017 см− 3. Однако информации о влиянии кремния на свойства CdTe в литературе очень мало. Исследуя свойства кристаллов CdTe: Si, выращенных из раствора–расплава в теллуре, авторы работы [3] не обнаружили корреляции между электрическими свойствами и содержанием примеси Si, если его концентрация не превышала 1018 см− 3. Легируя исходный материал одновременно литием и кремнием и изучая инфракрасную спектроскопию поглощения, авторы [4] отмечают, что атомы кремния могут размещаться в узлах кадмиевой подрешетки, входя в состав ассоциатов (LiCd− SiCd). С влиянием примеси Si авторы работы [5] связывают возникновение новой