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[PDF][PDF] 数字模拟法研究坩埚锥角对VGF 法GaAs 单晶生长的影响

王思爱， 苏小平， 张峰燚， 丁国强， 涂凡 - 2011 - researchgate.net
坩埚锥角是诱发VGF 法GaAs 单晶出现孪晶与多晶的重要因素之一, 应用数值模拟的方法对其
进行了研究与探讨, 研究发现, 在晶体生长的放肩阶段, 坩埚锥角为60, 90, 120 3 种情况下 …
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