Vast Structural and Polymorphic Varieties of Semiconductors AMM′Q4 (A = K, Rb, Cs, Tl; M = Ga, In; M′ = Ge, Sn; Q = S, Se)
Nine new chalcogenide semiconductors AInM′ Q4 (A+= K+, Rb+, Cs+, Tl+; M′ 4+= Ge4+,
Sn4+; Q2–= S2–, Se2–) have been prepared by solid-state syntheses and structurally …
Sn4+; Q2–= S2–, Se2–) have been prepared by solid-state syntheses and structurally …
Huge operation by energy gap of novel narrow band gap Tl1− xIn1− xBxSe2 (B= Si, Ge): DFT, x-ray emission and photoconductivity studies
M Piasecki, GL Myronchuk… - Materials Research …, 2016 - iopscience.iop.org
It is shown that narrow band gap semiconductors Tl 1− x In 1− x Ge x Se 2 are able
effectively to vary the values of the energy gap. DFT simulations of the principal bands …
effectively to vary the values of the energy gap. DFT simulations of the principal bands …
[PDF][PDF] Study of optical absorption in TlGaSe2: Zn2+ single crystals
GV Makhnovets, GL Myronchuk… - Ukrainian journal of …, 2018 - irbis-nbuv.gov.ua
We report the results of experimental studies for the optical absorption in TlGaSe2: Zn2+
single crystals grown using a modified Bridgman–Stockbarger technique. The absorption …
single crystals grown using a modified Bridgman–Stockbarger technique. The absorption …
AgGaSiSe4: Growth, crystal and band electronic structure, optoelectronic and piezoelectric properties
Growth of AgGaSiSe 4 single crystals, determination of their crystal structure, studies of
electronic structure and optical properties are presented. The X-ray photoelectron core-level …
electronic structure and optical properties are presented. The X-ray photoelectron core-level …
Фазові рівноваги в системах Tl2Se–CdSe–Si (Ge, Sn) Se2 та споріднених, кристалічна структура і властивості проміжних фаз
АО Селезень - 2023 - evnuir.vnu.edu.ua
Отримання нових матеріалів з наперед заданими властивостями, що відповідають
вимогам сучасної техніки, залишається актуальним завданням напівпровідникового …
вимогам сучасної техніки, залишається актуальним завданням напівпровідникового …
Tl2S–In2S3–GeS2 Glass System as Novel Promising Materials for Photonics
OV Tsisar, LV Piskach, OV Parasyuk… - … and Chemistry of …, 2019 - ktipe.pnu.edu.ua
It was established that minimal content of the glass-forming component GeS 2 is equal to 30
mol.%(by exploration the set of 23 different alloys with different composition). Correlation …
mol.%(by exploration the set of 23 different alloys with different composition). Correlation …
On the preparation and photoelectric properties of Tl1–x In1–x Sn x Se2 (x = 0.1–0.25) alloys
SP Danylchuk, GL Myronchuk, MY Mozolyuk… - Semiconductors, 2016 - Springer
The technological conditions for growing single crystals of Tl 1–x In 1–x Sn x Se 2 (x= 0.1–
0.25) alloys are developed. The spectral distribution of the photoconductivity of the grown …
0.25) alloys are developed. The spectral distribution of the photoconductivity of the grown …
[PDF][PDF] Оптичні властивості кристалів системи Tl1-xGa1-xSnxSe2 (x= 0, 05; 0, 1)
ГВ Махновець, ГЛ Мирончук… - Науковий вісник …, 2016 - irbis-nbuv.gov.ua
CBA (А–Tl; B–In, Ga; C–S, Se, Te)–перспективні матеріали, які використовуються в
різних пристроях сучасної електротехніки. Трьохкомпонентні сполуки даного типу є …
різних пристроях сучасної електротехніки. Трьохкомпонентні сполуки даного типу є …
Температурна залежність питомої електропровідності монокристалів Tl1-xIn1-xGexSe2 (x= 0, 1; 0, 2) уздовж і перпендикулярно до шарів
І Кітик, Г Мирончук, О Замуруєва, О Парасюк… - 2015 - evnuir.vnu.edu.ua
Проаналізовано температурні залежності питомої електропровідності в
монокристалах Tl1-xIn1-xGexSe2 уздовж та перпендикулярно до шарів. Показано, що в …
монокристалах Tl1-xIn1-xGexSe2 уздовж та перпендикулярно до шарів. Показано, що в …
Получение и фотоэлектрические свойства твердых растворов TlInSnSe ( = 0.1–0.25)
СП Данильчук, ГЛ Мирончук, МЮ Мозолюк… - Физика и техника …, 2016 - mathnet.ru
Разработаны технологические условия выращивания монокристаллов твердых
растворов Tl $ _ {1-x} $ In $ _ {1-x} $ Sn $ _ {x} $ Se $ _ {2} $($ x $= 0.1–0.25) …
растворов Tl $ _ {1-x} $ In $ _ {1-x} $ Sn $ _ {x} $ Se $ _ {2} $($ x $= 0.1–0.25) …