[PDF][PDF] Повреждения интегральных микросхем в полях радиоизлучения
ЮА Пирогов, АВ Солодов - Журнал радиоэлектроники, 2013 - jre.cplire.ru
Рассмотрены возможные механизмы, вызывающие деградацию и катастрофические
отказы микросхем в полях мощного радиоизлучения. Проанализированы результаты …
отказы микросхем в полях мощного радиоизлучения. Проанализированы результаты …
[PDF][PDF] Влияние СВЧ-обработок на люминесцентные свойства монокристаллов CdS и CdTe: Cl
РА Редько, СИ Будзуляк, ДВ Корбутяк… - Физика и техника …, 2015 - journals.ioffe.ru
Исследовано влияние микроволнового излучения на люминесцентные свойства
монокристаллов CdS и CdTe: Cl. Выяснено, что кратковременное (≤ 30 с) …
монокристаллов CdS и CdTe: Cl. Выяснено, что кратковременное (≤ 30 с) …
[PDF][PDF] Структурные трансформации в гомо-и гетерогенных системах на основе GaAs, обусловленные СВЧ-облучением
НС Заяц, РВ Конакова, ВВ Миленин… - Журнал технической …, 2015 - journals.ioffe.ru
Проведены исследования влияния СВЧ-обработки (f= 2. 45 GHz, 1.5 W/cm2, t= 1, 2min)
на спектры оптического отражения и фотолюминесценции эпитаксиальных структур n …
на спектры оптического отражения и фотолюминесценции эпитаксиальных структур n …
[PDF][PDF] Влияние СВЧ-облучения на фотолюминесценцию связанных экситонов в монокристаллах CdTe: Cl
ДВ Корбутяк, АП Лоцько, НД Вахняк… - Физика и техника …, 2011 - journals.ioffe.ru
Методами низкотемпературной фотолюминесценции исследовано влияние
микроволнового излучения на трансформацию структурно-примесных комплексов в …
микроволнового излучения на трансформацию структурно-примесных комплексов в …
[PDF][PDF] Влияние сверхкоротких импульсов электромагнитного излучения на параметры структур металл–диэлектрик–полупроводник
ВА Терехов, АН Манько, ЕН Бормонтов… - Физика и техника …, 2004 - journals.ioffe.ru
Исследованы изменения в структурах Al/SiO2/Si, возникающие в результате
воздействия импульсным электромагнитным излучением с длительностью переднего …
воздействия импульсным электромагнитным излучением с длительностью переднего …
[HTML][HTML] Влияние микроволнового облучения на излучательную рекомбинацию CdS
ИБ Ермолович, ВВ Миленин, РА Редько… - Вісті вищих учбових …, 2006 - radio.kpi.ua
Анотація Изучено влияние мощного кратковременного излучения СВЧ (f= 2, 45 ГГц) на
дефектные состояния монокристаллов CdS с помощью исследований спектров …
дефектные состояния монокристаллов CdS с помощью исследований спектров …
Гетерофазные процессы в пленочных сенсорных структурах на кремнии
ЕА Тутов - 2009 - static.freereferats.ru
Наряду с этой генеральной линией все большее значение приобретают
фундаментальные и прикладные исследования материалов с различными по …
фундаментальные и прикладные исследования материалов с различными по …
ВЛИЯНИЕ СВЧ ИЗЛУЧЕНИЯ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КОНТАКТОВ МЕТАЛЛ-А3В5
МУ Насыров, ГМ Насырова - Интернаука, 2019 - elibrary.ru
Рассмотрено влияние кратковременного микроволнового излучения на контакты Me-
GaAs (GaP, InP). Показано, что кратковременная микроволновая обработка …
GaAs (GaP, InP). Показано, что кратковременная микроволновая обработка …
[PDF][PDF] Вплив мікрохвильового випромінювання на фотолюмінесцентні властивості сполук АIIBVI (Огляд)
РА Редько, НД Вахняк, ОП Лоцько… - Оптоэлектроника и …, 2017 - researchgate.net
Проаналізовано стан проблеми надвисокочастотних обробок сполук AIIBVI.
Встановлено фактори мікрохвильових взаємодій електромагнітного випромінювання з …
Встановлено фактори мікрохвильових взаємодій електромагнітного випромінювання з …
The short-term microwave treatment effect on the volt-ampere characteristics of Pt-nn+ GaAs Schottky diodes
MB Tagaev, AB Kamalov, SE Bekbergenov… - 2011 - inis.iaea.org
В нашей работе было исследовано влияние микроволнового излучения на
вольтамперные характеристики арсенидгаллиевых поверхностнобарьерных структур …
вольтамперные характеристики арсенидгаллиевых поверхностнобарьерных структур …