A compact, high-gain Q-band stacked power amplifier in 45nm SOI CMOS with 19.2 dBm P sat and 19% PAE

Secure Satellite Communication Digital IF CMOS -Band Transmitter and -Band Receiver

TR LaRocca, K Thai, R Snyder, R Jai… - IEEE Journal of Solid …, 2019 - ieeexplore.ieee.org
This paper reports the first CMOS RF integrated chipset for secure commercial and military
satellite communication enabling next-generation low size, weight, and power (SWaP) …
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[引用][C] 半导体技术发展趋势探究——以射频功率放大器为例

胡单辉， 林倩， 邬海峰， 陈思维， 王晓政… - 桂林电子科技大学 …, 2023 - xb.guet.edu.cn
在分析射频功率放大器(RFPA) 的半导体材料, 芯片研究现状基础上, 总结了半导体技术的发展
趋势. 通过对半导体材料的特性和PA 芯片的性能指标进行分析, 发现三代半导体材料皆有优缺点 …
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