Growth mechanism and physical properties of the type-I In0. 145Ga0. 855AsySb1− y/GaSb alloys with low As content for near infrared applications
YL Casallas-Moreno, G Villa-Martínez… - Journal of Alloys and …, 2019 - Elsevier
Abstract In 0.145 Ga 0.855 As y Sb 1− y semiconductor alloys were grown on GaSb (100)
substrates by varying the As content by liquid phase epitaxy (LPE). We demonstrated that …
substrates by varying the As content by liquid phase epitaxy (LPE). We demonstrated that …
[HTML][HTML] Theoretical Study of Quaternary nBp InGaAsSb SWIR Detectors for Room Temperature Condition
T Manyk, J Rutkowski, M Kopytko, K Kłos, P Martyniuk - Materials, 2024 - mdpi.com
This paper presents a theoretical analysis of an nBp infrared barrier detector's performance
intended to operate at a room temperature (300 K) based on AIIIBV materials—In1-x Ga x …
intended to operate at a room temperature (300 K) based on AIIIBV materials—In1-x Ga x …
Si− doped In0. 145Ga0. 855As0. 123Sb0. 877: A novel p− type quaternary alloy with high crystalline quality
G Villa-Martínez, DM Hurtado-Castañeda… - Solid State …, 2022 - Elsevier
Antimonide− based p− n junctions are particularly attractive for a wide variety of
optoelectronic applications in the near and mid-infrared wavelength range. In this work …
optoelectronic applications in the near and mid-infrared wavelength range. In this work …
Growth of ingaassb/gasb compound for infrared optoelectronic devices
T Dai Nguyen, JO Kim, SJ Lee - Kondensirovannye sredy i …, 2022 - journals.vsu.ru
Condensed Matter and Interphases Page 1 250 ISSN 1606-867Х (Print) ISSN 2687-0711 (Online)
Condensed Matter and Interphases Kondensirovannye Sredy i Mezhfaznye Granitsy https://journals.vsu.ru/kcmf …
Condensed Matter and Interphases Kondensirovannye Sredy i Mezhfaznye Granitsy https://journals.vsu.ru/kcmf …
[PDF][PDF] Condensed Matter and Interphases
T Dai Nguyen, JO Kim, SJ Lee - 2022 - academia.edu
In this study, we report on the synthesis of InGaAsSb epi-layer for optoelectronic devices in
short infrared wavelengths (SWIR) at room temperature (RT). The InGaAsSb with lattice …
short infrared wavelengths (SWIR) at room temperature (RT). The InGaAsSb with lattice …
Учредители: Воронежский государственный университет
СИМГ КОНДЕНСИРОВАННЫЕ - Конденсированные среды и …, 2022 - elibrary.ru
Изучена биокоррозия дюралюминия марки Д16Т и предложен механизм, согласно
которому инициаторами начальных коррозионных повреждений являются активные …
которому инициаторами начальных коррозионных повреждений являются активные …
[HTML][HTML] ВЫРАЩИВАНИЕ СОЕДИНЕНИЯ INGAASSB/GASB ДЛЯ ИНФРАКРАСНЫХ ОПТОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ
ТД Нгуен, ДО Ким, СД Ли - Конденсированные среды и …, 2022 - cyberleninka.ru
В настоящем исследовании представлены результаты синтеза эпитаксиального слоя
InGaAsSb для оптоэлектронных приборов в коротких инфракрасных волнах при …
InGaAsSb для оптоэлектронных приборов в коротких инфракрасных волнах при …
Síntesis y estudio de la propiedades estructurales y morfológicas de multicapas de GaSb/Mn para aplicaciones en espintrónica
WI González Rojas - repositorio.unal.edu.co
En esta tesis se estudiaron las propiedades estructurales y morfológicas de multicapas de
antimoniuro de galio con manganeso ([GaSb/Mn] 3), construidas por medio de la técnica de …
antimoniuro de galio con manganeso ([GaSb/Mn] 3), construidas por medio de la técnica de …