Precise determination of crystal lattice parameters

VV Lider - Physics-Uspekhi, 2020 - iopscience.iop.org
Precision X-ray methods for absolute and relative determination of crystal lattice parameters
(interplanar distances) are described and compared, including the X-ray divergent-beam …

Прецизионное определение параметров кристаллической решётки

ВВ Лидер - Успехи физических наук, 2020 - elibrary.ru
Описываются и сравниваются прецизионные рентгеновские методы абсолютного и
относительного определения параметров кристаллической решётки (межплоскостных …

[PDF][PDF] X-ray Diffraction Topography-Investigation of Single Crystals Grown by the Czochralski Method

M Lefeld-Sosnowska, A Malinowska - Acta Physica Polonica A, 2013 - bibliotekanauki.pl
X-ray diffraction topography is one of basic diagnostics tools serving for visualisation of
single crystal lattice defects. Defects of various kinds can be observed. The present study is …

An Investigation on the Effect of Nanostructuring on Mechanical and Ultrasonic Properties of Si/Si x ge1− x Superlattice Nanowires

AK Yadav, RR Yadav - Advanced Science Letters, 2014 - ingentaconnect.com
In this paper, we present theoretical investigations on mechanical and ultrasonic properties
of Si/Si x Ge1− x nanowires. Anharmonic elastic constants of the material are calculated at …

Wpływ defektów punktowych na zmianę parametrów sieciowych monokryształów krzemu i wybranych tlenków metali stosowanych w optoelektronice

J Kucytowski - 2009 - opus.us.edu.pl
Kontrola obecności i sposoby regulacji różnych mikrodefektów, które wywołują lokalne
zaburzenie w periodyczności sieci, jest niezwykle trudna zarówno z naukowego punktu …

Studies of growth bands in Si: Ge crystals

K Wieteska, W Wierzchowski, W Graeff… - Materials Science and …, 2002 - Elsevier
Si: Ge crystals with approximately 3% of germanium were studied with various topographic
methods using both conventional and synchrotron sources of X-rays. The present …