Sn–Induced decomposition of SiGeSn alloys grown on Si by molecular-beam epitaxy
AB Talochkin, VA Timofeev, AK Gutakovskii… - Journal of Crystal …, 2017 - Elsevier
Structural features of Si 1− x− y Ge x Sn y alloy layers grown on Si by molecular-beam
epitaxy are studied. These layers with the thickness of 2.0 nm, the nominal Ge composition …
epitaxy are studied. These layers with the thickness of 2.0 nm, the nominal Ge composition …
[HTML][HTML] Investigation of GeSn/Ge quantum dots' optical transitions for integrated optics on Si substrate
The effects of self-organized GeSn/Ge quantum dot's size and shape on the direct band gap
interband emission energy, oscillator strength and radiative lifetime are evaluated. The …
interband emission energy, oscillator strength and radiative lifetime are evaluated. The …
Выращивание эпитаксиальных слоев твердого раствора Si 1-xy Ge x Sn y из оловянного раствора-расплава
АШ Раззоков - Сибирский физический журнал, 2023 - nguphys.elpub.ru
Аннотация Выращены монокристаллические пленки варизонного твердого раствора Si
1-xy Ge x Sn y на подложках Si< 111> методом жидкофазной эпитаксии из …
1-xy Ge x Sn y на подложках Si< 111> методом жидкофазной эпитаксии из …
Strain in Ultrathin SiGeSn Layers in a Silicon Matrix
AK Gutakovskii, AB Talochkin - JETP Letters, 2017 - Springer
Strain in SiGeSn alloy layers with thicknesses of d= 1.5 and 2.0 nm grown in a Si matrix by
molecular-beam epitaxy is investigated using the geometric-phase analysis of high …
molecular-beam epitaxy is investigated using the geometric-phase analysis of high …
Improving Group IV Photonics: Examining Material Properties of Epitaxially Grown, Low-Temperature Silicon and Gallium-Doped Silicon Thin Films
JM Manninen - 2019 - search.proquest.com
Group IV photonics is a field of study with increasing interest in CMOS compatible light
emitters. Binary Ge 1− x Sn x and ternary Si y Ge 1− y− x Sn x alloys have garnered the …
emitters. Binary Ge 1− x Sn x and ternary Si y Ge 1− y− x Sn x alloys have garnered the …
Деформация сверхтонких слоев SiGeSn в матрице кремния
АК Гутаковский, АБ Талочкин - Письма в Журнал экспериментальной …, 2017 - mathnet.ru
Исследована деформация слоев твердого раствора SiGeSn толщиной d= 1.5, 2.0 нм,
полученных в Si с помощью молекулярно лучевой эпитаксии. Использован метод …
полученных в Si с помощью молекулярно лучевой эпитаксии. Использован метод …