The two-dimensional model of arsenic diffusion in silicon at rapid thermal annealing is
presented. A method of solving the nonlinear differential equations system is specified …

Low-energy ion implantation is widely used for the formation of active areas in modern
integrated microcircuits elements. The combination of low-energy (1–30 keV) ion …

One of ways of shallow p–n-junction formation in silicon-based ultra large integrated circuits
(IC) technology is the expansion of opportunities of traditional technologies, namely ion …

Software for the simulation of low-energy implantation of dopant atoms in silicon structures
and postimplantation rapid thermal annealing (RTA) of these structures have been …

The physical models and numerical algorithms allowing one to accurately simulate
advanced technological processes, such as low− energy ion implantation and rapid thermal …

Аннотация Рассмотрены физико− математические модели и численные алгоритмы,
позволяющие достаточно точно моделировать современные технологические …

Physical and mathematical models as well as numerical algorithms for simulation of
advanced technological processes, such as thermal annealing after low-energy ion …

Разработаны физико-математические модели и проведено численное моделирование
процесса диффузии имплан-тированных примесей при быстрых термообработках …

разработана двумерная модель миграции имплантированных атомов мышьяка в
кремнии, а также модель перераспределения имплантированных атомов мышьяка в …