具有可控空穴抽取路径的低损耗4H-SiC 双沟槽超结IGBT.
吴栋， 姚登浪， 郭祥， 丁召 - Electronic Components & …, 2024 - search.ebscohost.com
基于TCAD 设计并仿真了一种具有可控空穴抽取(CHE) 路径的双沟槽超结IGBT (CHE-SJ-
TIGBT) 结构. 该器件采用肖特基和非对称超结结构, 以增强器件的导通性能和阻断能力. CHE …
TIGBT) 结构. 该器件采用肖特基和非对称超结结构, 以增强器件的导通性能和阻断能力. CHE …