Локалізовані стани електронів у напівпровідниках. IIІ. Енергетичні рівні точкових дефектів у цинк, кадмій і плюмбум телуридах (огляд)
ДМ Фреїк, ВМ Чобанюк, ОМ Возняк… - Фізика і хімія …, 2011 - irbis-nbuv.gov.ua
Головною причиною підвищеного інтересу до напівпровідників типу АIIВVI та АIVВVI є їх
широке застосування як у практичній діяльності, так і у модельних дослідженнях …
широке застосування як у практичній діяльності, так і у модельних дослідженнях …
[PDF][PDF] ДЕТЕКТОРНЫЕ КРИСТАЛЛЫ НА ОСНОВЕ CdTe И Cd1-xZnxTe ДЛЯ ПРЯМОГО СЧЕТА РЕНТГЕНОВСКИХ И ГАММА–КВАНТОВ
ВМ Каневский - crys.ras.ru
ВВЕДЕНИЕ Теллурид кадмия (CdTe) является представителем класса широкозонных
полупроводников и одним из наиболее изучаемых среди соединений А2В6, так как …
полупроводников и одним из наиболее изучаемых среди соединений А2В6, так как …