[HTML][HTML] СПЕЦИФИКА ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ПОЛЯРИТОНОВ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ ХАЛЬКОГЕНИДОВ КАДМИЯ

БЗ Полвонов, АШУ Уринбоев - Al-Farg'oniy avlodlari, 2023 - cyberleninka.ru
Люминесценция поляритонов в полупроводниковых структурах привлекла
значительное внимание благодаря своей способности раскрывать новые физические …

Диагностика полупроводниковых материалов методом поляритонной люминесценции

БЗ Полвонов, М Насиров, В Мирзаев… - General question of world …, 2019 - elibrary.ru
На основе микроскопической теории поляритонной люминесценции (ПЛ) выполнен
анализ известных экспериментальных спектров низкотемпературной …

Исследование низкотемпературной фотолюминесценции кристаллов в области экситонного резонанса

БЗ Полвонов, М Насиров, В Мирзаев… - … РОССИИ: ЦЕЛИ И …, 2019 - elibrary.ru
На основе микроскопической теории поляритонной люминесценции (ПЛ) выполнен
анализ известных экспериментальных спектров низкотемпературной …

[PDF][PDF] Опис процесів дефектоутворення у бездомішкових кристалах кадмій телуриду методом термодинамічних потенціалів

ВВ Прокопів, ПМ Фочук, ІВ Горічок… - Фізика і хімія твердого …, 2007 - pnu.edu.ua
Методом термодинамічних потенціалів розраховано концентрації точкових дефектів та
вільних носіїв заряду в кристалах CdTe в залежності від технологічних факторів …

Собственные точечные дефекты в теллуриде кадмия с избытком кадмия

ВВ Прокопив, ИВ Горичок, УМ Писклинец - Неорганические …, 2009 - elibrary.ru
Проведен расчет концентраций свободных носителей заряда и точечных дефектов в
монокристаллах теллурида кадмия на границе области существования соединения …

Влияние затухания экситонов на спектры поляритонной люминесценции кристалла CdTe

БЖ Ахмадалиев, БЗ Полвонов… - Оптика и спектроскопия, 2014 - elibrary.ru
Численно рассчитаны спектры поляритонной люминесценции с учетом затухания
механических экситонов и сопоставлены с известными экспериментальными …

Локалізовані стани електронів у напівпровідниках. IIІ. Енергетичні рівні точкових дефектів у цинк, кадмій і плюмбум телуридах (огляд)

ДМ Фреїк, ВМ Чобанюк, ОМ Возняк… - Фізика і хімія …, 2011 - irbis-nbuv.gov.ua
Головною причиною підвищеного інтересу до напівпровідників типу АIIВVI та АIVВVI є їх
широке застосування як у практичній діяльності, так і у модельних дослідженнях …

ДИАГНОСТИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ ТИПА ХАЛЬКОГЕНИДОВ КАДМИЯ МЕТОДОМ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ПОЛЯРИТОННОЙ …

НХ Юлдашев, БЗ Полвонов, МХ Насиров… - … REVIEW OF THE …, 2018 - elibrary.ru
На основе микроскопической теории поляритонной люминесценции (ПЛ) выполнен
анализ известных экспериментальных спектров низкотемпературной …

ЭНЕРГИИ ОБРАЗОВАНИЯ СОБСТВЕННЫХ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРИСТАЛЛАХ АIIВVI

ИВ Горичок, УМ Писклинец, ВВ Прокопив - Неорганические …, 2012 - elibrary.ru
Рассчитаны энергии образования точечных дефектов в кристаллах А II В VI исходя из
экспериментальных холловских измерений, а также термодинамическим методом и …

[PDF][PDF] Поляритонная люминесценция в кристаллах типа CdTe c учетом затухания экситонов

БЖ Ахмадалиев, БЗ Полвонов… - Фізична інженерія …, 2012 - irbis-nbuv.gov.ua
На основі мікроскопічной теорі поляритонной люмінесценцii (ПЛ) виконаний аналіз
відомих експериментальних спектрів низькотемпературной фотолюмінесценці (НТФЛ) …