Relaxation Processes and Coherent Spin Manipulations for Triplet Si–C Divacancies in Silicon Carbide Enriched Tenfold in the 13C Isotope
RA Babunts, YA Uspenskaya, AP Bundakova… - JETP Letters, 2022 - Springer
Coherent spin manipulations of ensembles of color centers in the form of neutral VSi–VC
divacancies with the spin in hexagonal silicon carbide 6H–SiC enriched in the 13C isotope …
divacancies with the spin in hexagonal silicon carbide 6H–SiC enriched in the 13C isotope …
[HTML][HTML] All-optical vector magnetometry based on fine and hyperfine interactions in spin-3 2 centers in silicon carbide
KV Likhachev, MV Uchaev, IP Veyshtort… - Journal of Applied …, 2025 - pubs.aip.org
The possibility of using axial spin centers with S= 3/2 in silicon carbide for all-optical
measurement of the projection B z of the external magnetic field onto the c-axis of the SiC …
measurement of the projection B z of the external magnetic field onto the c-axis of the SiC …
Manifestations of Electron–Nuclear Interactions in the High-Frequency ENDOR/ODMR Spectra for Triplet Si–C Divacancies in 13C-Enriched SiC
RA Babunts, YA Uspenskaya, AS Gurin, AP Bundakova… - JETP Letters, 2022 - Springer
The frequencies of electron–nuclear interactions with 13C and 29Si nuclei on remote
coordination spheres are determined in triplet spin centers in the form of neutral VSi–VC …
coordination spheres are determined in triplet spin centers in the form of neutral VSi–VC …
Проявления электронно-ядерных взаимодействий в спектрах высокочастотного ДЭЯР/ОДМР для триплетных Si-C дивакансий в SiC, обогащенном изотопом …
РА Бабунц, ЮА Успенская, АС Гурин… - Письма в Журнал …, 2022 - mathnet.ru
Определены частоты электронно-ядерных взаимодействий с ядрами 13C и 29Si на
удаленных координационных сферах в триплетных спиновых центрах в виде …
удаленных координационных сферах в триплетных спиновых центрах в виде …
Релаксационные процессы и когерентные спиновые манипуляции для триплетных Si-C дивакансий в карбиде кремния, десятикратно обогащенном изотопом …
РА Бабунц, ЮА Успенская, АП Бундакова… - Письма в Журнал …, 2022 - mathnet.ru
Когерентные спиновые манипуляции ансамблей центров окраски в виде нейтральных
VSi-VC дивакансий со спином S= 1 в гексагональном политипе карбида кремния 6H-SiC …
VSi-VC дивакансий со спином S= 1 в гексагональном политипе карбида кремния 6H-SiC …
All-optical scanning vector magnetometry based on fine and hyperfine interactions in spin- centers in silicon carbide
KV Likhachev, MV Uchaev, IP Veyshtort… - arXiv preprint arXiv …, 2024 - arxiv.org
The possibility of using axial spin color centers with $ S= 3/2$, oriented along the hexagonal
$ c $ axis in a silicon carbide (SiC) wafer, has been demonstrated for all-optical …
$ c $ axis in a silicon carbide (SiC) wafer, has been demonstrated for all-optical …
Fully Optical Scanning Spectroscopy of the Anticrossing of Electron and Nuclear Spin Levels in a 4H-SiC Crystal
KV Likhachev, IP Veyshtort, MV Uchaev, AV Batueva… - JETP Letters, 2024 - Springer
Transitions in a system of interacting electron and nuclear spins in color centers with S= 3/2
in a 4H-SiC crystal with the natural isotopic composition have been detected by fully optical …
in a 4H-SiC crystal with the natural isotopic composition have been detected by fully optical …