Formation of a stepped Si (100) surface and its effect on the growth of Ge islands

[PDF] archive.org

[PDF][PDF] Перестройка моноатомных и биатомных ступеней на поверхности при эпитаксиальном росте Si на Si (001)

ВВ Дирко, ОИ Кукенов, АС Соколов, КА Лозовой… - 2023 - scholar.archive.org
DOI 10.34077/RCSP2023-104 Развитие кремниевой полупроводниковой
наноэлектроники сопровождается ужесточением требований к технологическим …
相关文章 所有 2 个版本

ИССЛЕДОВАНИЕ ГОМОЭПИТАКСИАЛЬНОГО РОСТА НА ПОВЕРХНОСТИ SI (100) МЕТОДОМ ДИФРАКЦИИ БЫСТРЫХ ЭЛЕКТРОНОВ

КА Лозовой, ВВ Дирко, ОИ Кукенов, АС Соколов… - elibrary.ru
ИССЛЕДОВАНИЕ ГОМОЭПИТАКСИАЛЬНОГО РОСТА НА ПОВЕРХНОСТИ SI(100)
МЕТОДОМ ДИФРАКЦИИ БЫСТРЫХ ЭЛЕКТРОНОВ КОРЗИНА ПОИСК НАВИГАТОР …
相关文章