SIMULATION OF POTENTIAL DISTRIBUTIONS IN THE SPACE CHARGE REGION OF SEMICONDUCTOR STRUCTURES

DM Yesbergenov, EM Naurzalieva - International Journal of …, 2024 - iejemta.com
The methods of description of semiconductor-insulator interface characteristics based on
process change of MIS type structure was considered. By using Maple Software, the …

Design, fabrication and characterization of a suspended heterostructure

VLP Leduc, R Knobel - 2007 - library-archives.canada.ca
This thesis presents the design and theoretical modeling of an aluminum gallium
arsenide/gallium arsenide heterostructure from which suspended nanoscale mechanical …

Contribuições para a modelagem de dispositivos semicondutores baseados em contatos Schottky heterodimensionais

RAR Pereira - 2003 - teses.usp.br
Esta tese trata da modelagem das características eletrônicas de dispositivos
semicondutores baseados em contatos Schottky heterodimensionais, definidos como …

Aspectos de modelagem numérica de transistores de fios quânticos

RVT Nobrega - 2010 - teses.usp.br
Esta dissertação discute o desenvolvimento de modelos analíticos e numéricos para as
características elétricas de transistores de fios quânticos. Sendo assim, realizou-se um …

Estudo do transporte eletrônico de uma junção PiN com poço quântico único de GaAs

CEA Brito - 2016 - tede.ufam.edu.br
Neste trabalho estudamos as propriedades elétricas de dispositivos com dupla barreira de
potencial, tanto de forma teórica quanto experimental. Para as análises experimentais foi …

[引用][C] SIMULATION OF POTENTIAL DISTRIBUTIONS IN THE SPACE CHARGE REGION OF SEMICONDUCTOR STRUCTURES

U Sh B, N EM - Euroasian Journal of Semiconductors Science and …, 2021

[引用][C] д-р физ.-мат. наук, зав. каф. электротехники и электроники ДГТУ АА Лаврентьев; д-р физ.-мат. наук, профессор кафедры теоретической физики ТГПИ …

ДАА Лаврентьев