Electrical and optical property of annealed Te-doped GaSb
J Su, T Liu, J Liu, J Yang, G Shen, Y Bai… - Journal of …, 2017 - iopscience.iop.org
GaSb is the most suitable substrate in the epitaxial growth of mixed semiconductors of GaSb
system. In this work, Te-doped GaSb bulk crystals with different doping concentration have …
system. In this work, Te-doped GaSb bulk crystals with different doping concentration have …
[PDF][PDF] ВЗАЄМОДІЯ InAs, InSb, GaAs, GaSb З ВОДНИМИ РОЗЧИНАМИ (NH4) 2Cr2O7− HBr− РОЗЧИННИК
ІВ Левченко - 2018 - chem.lnu.edu.ua
Встановлено закономірності хімічного розчинення напівпровідникових кристалів InAs,
InSb, GaAs, GaSb в бромвиділяючих травильних композиціях на основі (NH4) 2Cr2O7 …
InSb, GaAs, GaSb в бромвиділяючих травильних композиціях на основі (NH4) 2Cr2O7 …