З використанням загальноприйнятих та новітніх уявлень про природу власних дефектів
у матеріалі проведено моделювання ансамблю точкових дефектів у нелегованих …

Запропоновано кристалоквазіхімічні формули нестехіометричного n-і p-CdTe за умови
існування складної дефектної підсистеми за схемою Шотткі-Френкеля. Розраховано …

Зроблено аналіз особливостей фазових діаграм рівноваги бінарних систем Cd (Sn, Pb)-
Te та області гомогенності сполук CdTe, SnTe, PbTe. На основі закону діючих мас і …

Разом з тим для одержання відповідних пристроїв з необхідними експлуатаційними
властивостями необхідно вирощувати монокристали та плівки CdTe з програмованим …

Халькоґеніди металів II і IV ґруп Періодичної таблиці первнів мають широке
використання у напівпровідниковій техніці:• детектори жорсткого випромінювання …

Досліджено плив концентрації модифікаторів та полярності дисперсійного середовища
на властивості та стійкість високодисперсних суспензій телуриду кадмію. Виявлено, що …

Завдяки унікальним фізичним властивостям телурид кадмію впродовж тривалого часу є
об'єктом ретельного вивчення, як перспективний матеріал для виготовлення детекторів …