Polarization switching mechanism in surface-emitting semiconductor lasers
Within the scope of the earlier proposed approach to the description of polarization
dependences in VCSEL based on analysis of the experimental and theoretical data, an …
dependences in VCSEL based on analysis of the experimental and theoretical data, an …
Наведенный дихроизм усиления в поверхностно излучающих полупроводниковых лазерах
ЛИ Буров, АС Горбацевич, ПМ Лобацевич - 2016 - elib.bsu.by
В рамках разработанного ранее подхода к рассмотрению формирования
поляризованного излучения в поверхностно излучающих полупроводниковых лазерах …
поляризованного излучения в поверхностно излучающих полупроводниковых лазерах …
Переходные процессы при поляризационных переключениях в поверхностно излучающих полупроводниковых лазерах
ЛИ Буров, АС Горбацевич… - Журнал Белорусского …, 2018 - journals.bsu.by
Аннотация На основе численного моделирования проведено исследование
поляризационного гистерезиса в поверхностно излучающих полупроводниковых …
поляризационного гистерезиса в поверхностно излучающих полупроводниковых …
[PDF][PDF] Optimization of the Parameters of a Compact Laser Microchip Based on Nd: LSB with Cr: YAG Saturable Absorber
LI Burov, LG Krylova - Nonlinear Phenomena in Complex Systems, 2020 - researchgate.net
The development of spatially distributed models (travelling wave models) of the formation of
amplified radiation in solid-state lasers is a fundamental problem in connection with the …
amplified radiation in solid-state lasers is a fundamental problem in connection with the …
[PDF][PDF] Mode hopping and carrier density fluctuations in semiconductor lasers
M Jadan - Ukrainian journal of physical optics, 2014 - irbis-nbuv.gov.ua
We treat the effect of noise on the power and polarization characteristics of semiconductor
lasers within the scope of our earlier model which considers polarization switching as a …
lasers within the scope of our earlier model which considers polarization switching as a …