Selective area regrowth and doping for vertical gallium nitride power devices: Materials challenges and recent progress
This paper reviews materials challenges and recent progress for selective area regrowth
and doping for vertical gallium nitride (GaN) power devices. The purpose is to realize …
and doping for vertical gallium nitride (GaN) power devices. The purpose is to realize …
[HTML][HTML] Lateral and vertical growth of Mg-doped GaN on trench-patterned GaN films
Growth of Mg-doped GaN on trench-patterned GaN films consists of competing lateral and
vertical growth fronts that result in regions with different electronic properties. Under typical …
vertical growth fronts that result in regions with different electronic properties. Under typical …
[PDF][PDF] 希土類元素ドープによる高品質GaN 系微傾斜表面の作製と高密度原子ステップを利用した高機能デバイスの開発
S Ichikawa - nsg-zaidan.or.jp
窒化物半導体は, 発光ダイオード (LED) やレーザーダイオードなどの光デバイス応用に加えて,
次世代の高耐圧・高周波デバイスなど電子デバイス応用も積極的に推進されている. しかしながら …
次世代の高耐圧・高周波デバイスなど電子デバイス応用も積極的に推進されている. しかしながら …
[PDF][PDF] 希土類元素ドープによる高品質GaN 系微傾斜表面の作製と高密度原子ステップを利用した高機能デバイスの開発
THEO Devices, S Ichikawa - nsg-zaidan.or.jp
III-V 族窒化物半導体は, 発光ダイオード (LED) やレーザーダイオードなどの光デバイス応用に加え
て, 次世代の高耐圧・高周波デバイスなど電子デバイス応用も積極的に推進されている …
て, 次世代の高耐圧・高周波デバイスなど電子デバイス応用も積極的に推進されている …