Evolution of radiation-induced soft errors in FinFET SRAMs under process variations beyond 22nm
P Royer, F Garcia-Redondo… - Proceedings of the …, 2015 - ieeexplore.ieee.org
New CMOS technologies such as SOI or FinFET are expected to enhance SRAM radiation-
induced soft error rates thanks to a reduction on the charge collected as the devices get …
induced soft error rates thanks to a reduction on the charge collected as the devices get …
Design and simulation of deep nanometer SRAM cells under energy, mismatch, and radiation constraints
P Royer del Barrio - 2015 - oa.upm.es
La fiabilidad está pasando a ser el principal problema de los circuitos integrados según la
tecnología desciende por debajo de los 22nm. Pequeñas imperfecciones en la fabricación …
tecnología desciende por debajo de los 22nm. Pequeñas imperfecciones en la fabricación …