[PDF][PDF] Введение в физику зарядовых и размерных эффектов. Поверхность, кластеры, низкоразмерные системы
ВВ Погосов - 2006 - eir.zp.edu.ua
UK: Дано огляд сучасного стану нанотехнологій та наноелектроніки. RU: Целью
учебного пособия является освещение основных тенденций, направлений в …
учебного пособия является освещение основных тенденций, направлений в …
[PDF][PDF] Введение в физику ультрадисперсных сред
АП Шпак, АП Шпак, ВВ Погосов, ЮА Куницький… - 2006 - eir.zp.edu.ua
Стремительный рост исследований малых атомных систем-кластеров–обусловлен
чрезвычайной важностью их свойств как с фундаментальной, так и с прикладной точек …
чрезвычайной важностью их свойств как с фундаментальной, так и с прикладной точек …
Calculation of the mutual capacitance of nanoobjects
YS Gerasimov, VV Shorokhov, AG Maresov… - Journal of …, 2011 - Springer
A method for determination of the mutual effective capacitance for molecules, molecular
clusters, and nanoparticles on the basis of the quantum-mechanical calculation of the …
clusters, and nanoparticles on the basis of the quantum-mechanical calculation of the …
[PDF][PDF] Теоретическое исследование электронного транспорта в молекулярном одноэлектронном транзисторе
ЯС Герасимов - 2014 - phys.msu.ru
Общей тенденцией современной полупроводниковой электроники является
постоянное возрастание плотности элементов на кристалле микросхем. Продвижение …
постоянное возрастание плотности элементов на кристалле микросхем. Продвижение …
Современные тенденции в развитии элементов вычислительных устройств post-CMOS эры
ОВ Снигирев, ЕС Солдатов, ВА Крупенин… - … , применение-XXI век, 2009 - elibrary.ru
Описаны современные тенденции развития элементной базы вычислительных
устройств с характерными размерами элементов на уровне 10 нм и менее. Приведены …
устройств с характерными размерами элементов на уровне 10 нм и менее. Приведены …
[PDF][PDF] Эффекты одноэлектронной зарядки в туннельной структуре на металлическом кластере
ВВ Погосов, ЕВ Васютин, ВП Курбацкий… - Физика твердого …, 2006 - journals.ioffe.ru
Интересным объектом физики низкоразмерных систем являются металлические
гранулы, связанные слабыми туннельными взаимодействиями (см. работы [1–7] и …
гранулы, связанные слабыми туннельными взаимодействиями (см. работы [1–7] и …
Effects of single-electron charging in a tunnel structure with a metallic cluster
VV Pogosov, EV Vasyutin, VP Kurbatskiĭ… - Physics of the Solid …, 2006 - Springer
The effects of single-electron tunnel charging and Coulomb blockade in a cluster structure
(molecular transistor) are studied theoretically with allowance for the quantization of the …
(molecular transistor) are studied theoretically with allowance for the quantization of the …
РАСЧЕТ ВЗАИМНОЙ ЕМКОСТИ НАНООБЪЕКТОВ
ЯС Герасимов, ВВ Шорохов, АГ Маресов… - Радиотехника и …, 2011 - elibrary.ru
Предложен метод определения взаимной эффективной емкости для молекул,
молекулярных кластеров и наночастиц, основанный на квантово-механическом …
молекулярных кластеров и наночастиц, основанный на квантово-механическом …
Determination of electronic properties of molecular objects on the basis of nanodevices' transport characteristics
VA Malinin, VV Shorokhov… - … Conference on Micro …, 2010 - spiedigitallibrary.org
In this paper we have investigated the possibility of determining single-electron spectrum of
the nano-object, that is used as the central island of a single-electron transistor. The method …
the nano-object, that is used as the central island of a single-electron transistor. The method …
РАСЧЕТ ВОЛЬТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ОДНОЭЛЕКТРОННОГО ДИОДА
ВВ Погосов, ЕВ Васютин - Микроэлектроника, 2007 - elibrary.ru
Теоретически исследованы эффекты одноэлектронного туннельного заряжения и
кулоновской блокады в кластерной структуре (молекулярном диоде) с учетом …
кулоновской блокады в кластерной структуре (молекулярном диоде) с учетом …