[PDF][PDF] Дефектно-примесная инженерия в имплантированном кремнии
АР Челядинский, ФФ Комаров - Успехи физических наук, 2003 - bsu.by
Ионная имплантация является в настоящее время основным методом создания
легированных слоев полупроводников. Она обладает рядом неоспоримых …
легированных слоев полупроводников. Она обладает рядом неоспоримых …
Defect-impurity engineering in implanted silicon
AR Chelyadinskii, FF Komarov - Physics-Uspekhi, 2003 - iopscience.iop.org
The basic results of the studies of defect–impurity interaction in implanted silicon are
presented. Factors affecting the way in which quasichemical reactions proceed—namely …
presented. Factors affecting the way in which quasichemical reactions proceed—namely …
Simulation of clustering and pile-up during post-implantation annealing of phosphorus in silicon
ESE Schroer, MUM Uematsu - Japanese journal of applied …, 1999 - iopscience.iop.org
We report on the simulation of the annealing behavior of medium dose (10 13–10 14 cm-2)
implanted phosphorus in silicon. It is shown that the transient clustering of phosphorus has …
implanted phosphorus in silicon. It is shown that the transient clustering of phosphorus has …
[HTML][HTML] Modeling the time-dependence of the photoreflectance spectroscopy on ultra-shallow As+ ion implanted silicon
H Chouaib - Results in Optics, 2022 - Elsevier
Using a high throughput Photoreflectance (PR) spectroscopy setup, a significant temporal
behavior of the PR spectroscopy from a wide range of silicon (Si) wafers is observed …
behavior of the PR spectroscopy from a wide range of silicon (Si) wafers is observed …
Model of high-temperature diffusion of interstitial silicon atoms in silicon
Problem statement: Correct description of the anomalous phenomena determined by
selfpoint defects in implanted silicon desires knowledge of their properties. Interstitial Si …
selfpoint defects in implanted silicon desires knowledge of their properties. Interstitial Si …
Model of the pair phosphorus atom-interstitial silicon atom
AR Chelyadinskii, VA Burenkov - Physics of the Solid State, 1998 - Springer
Interstitial defects in silicon implanted with P and Si ions are investigated by x-ray diffraction.
It is established that the interstitial complexes formed by implantation and in subsequent …
It is established that the interstitial complexes formed by implantation and in subsequent …
[PDF][PDF] Модель пары: атом фосфора–междоузельный атом кремния
АР Челядинский, ВА Буренков - Физика твердого тела, 1998 - journals.ioffe.ru
Рентгенодифракционным методом исследованы дефекты междоузельного типа в
кремнии, имплантированном ионами P и Si. Установлено, что образующиеся при …
кремнии, имплантированном ионами P и Si. Установлено, что образующиеся при …
[PDF][PDF] Влияние радиационных дефектов на диффузию мышьяка и сурьмы в имплантированном кремнии
М Джадан, ОХА Ривера, АР Челядинский, ВЮ Явид - 2010 - elib.bsu.by
ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ РЕЗОНАТОРЫ С СОСРЕДОТОЧЕННЫМИ Page 1 4-ая
Международная научная конференция «Материалы и структуры современной …
Международная научная конференция «Материалы и структуры современной …
[PDF][PDF] Results in Optics
H Chouaib - researchgate.net
Using a high throughput Photoreflectance (PR) spectroscopy setup, a significant temporal
behavior of the PR spectroscopy from a wide range of silicon (Si) wafers is observed …
behavior of the PR spectroscopy from a wide range of silicon (Si) wafers is observed …
Influence of radiation defects on diffusion of arsenic and antimony in implanted silicon
Diffusion of implanted Sb and As in silicon layers with various contents of radiation defects is
investigated during furnace thermal annealing and rapid thermal annealing (RTA). The …
investigated during furnace thermal annealing and rapid thermal annealing (RTA). The …