[PDF][PDF] VGF 法生长4 英寸GaAs 单晶固液界面形状和热应力的数值模拟研究
涂凡， 苏小平， 张峰燚， 黎建明， 丁国强， 王思爱 - 稀有金属, 2011 - researchgate.net
采用专业晶体生长数值模拟软件CrysMas, 模拟了垂直梯度凝固法(VGF) 生长4 英寸GaAs
单晶过程中的固液界面形状, 发现晶体在生长过程中固液界面形状经历了由凹到凸的变化 …
单晶过程中的固液界面形状, 发现晶体在生长过程中固液界面形状经历了由凹到凸的变化 …
[PDF][PDF] 6 英寸砷化镓单晶VGF 法生长中坩埚-埚托间隙对晶体生长过程影响
涂凡， 苏小平， 张峰燚， 黎建明， 丁国强 - 稀有金属, 2011 - researchgate.net
6 英寸砷化镓单晶VGF 法生长中坩埚-埚托间隙对晶体生长过程影响 Page 1 第35 卷第4 期 Vol.
35 No. 4 稀有金属 CHINESE JOURNAL OF RARE METALS 2011 年7 月 Jul. 2011 收稿日期 …
35 No. 4 稀有金属 CHINESE JOURNAL OF RARE METALS 2011 年7 月 Jul. 2011 收稿日期 …
[PDF][PDF] 10cm VGF 法GaAs 单晶生长过程中热应力的数值模拟
涂凡， 苏小平， 屠海令， 张峰燚， 丁国强， 王思爱 - 红外与激光工程, 2010 - researchgate.net
采用数值模拟技术模拟了10 cm (4 in) VGF 法GaAs 单晶生长过程中的温场分布,
固液界面形貌以及热应力分布, 推导得到了固液界面形状与轴向温度梯度和径向温度梯度之间的 …
固液界面形貌以及热应力分布, 推导得到了固液界面形状与轴向温度梯度和径向温度梯度之间的 …