Исследована электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAsSbP и
InAsSb/InAsSbP, выращенных на подложках InAs, в диапазоне температур $ T $= 4.2 …

Перспективные для применения в спектроскопии лазерные диоды InAs/InAsSbP
характеризуются относительно высокой скоростью безызлучательной рекомбинации …

Аннотация На основе полученных экспериментальных данных для активного слоя InAs
0.88 Sb 0.12 рассчитаны параметры Варшни температурной зависимости ширины …

Путем численного решения волнового уравнения в двумерном приближении с учетом
зависимости показателя преломления от концентрации неравновесных носителей …

Известно, что в средней инфракрасной (ИК) области спектра (диапазон длин волн 2–6
мкм) лежат характеристические полосы поглощения многих химических соединений …