Relaxation Processes and Coherent Spin Manipulations for Triplet Si–C Divacancies in Silicon Carbide Enriched Tenfold in the 13C Isotope
RA Babunts, YA Uspenskaya, AP Bundakova… - JETP Letters, 2022 - Springer
Coherent spin manipulations of ensembles of color centers in the form of neutral VSi–VC
divacancies with the spin in hexagonal silicon carbide 6H–SiC enriched in the 13C isotope …
divacancies with the spin in hexagonal silicon carbide 6H–SiC enriched in the 13C isotope …
Manifestations of Electron–Nuclear Interactions in the High-Frequency ENDOR/ODMR Spectra for Triplet Si–C Divacancies in 13C-Enriched SiC
RA Babunts, YA Uspenskaya, AS Gurin, AP Bundakova… - JETP Letters, 2022 - Springer
The frequencies of electron–nuclear interactions with 13C and 29Si nuclei on remote
coordination spheres are determined in triplet spin centers in the form of neutral VSi–VC …
coordination spheres are determined in triplet spin centers in the form of neutral VSi–VC …
Проявления электронно-ядерных взаимодействий в спектрах высокочастотного ДЭЯР/ОДМР для триплетных Si-C дивакансий в SiC, обогащенном изотопом …
РА Бабунц, ЮА Успенская, АС Гурин… - Письма в Журнал …, 2022 - mathnet.ru
Определены частоты электронно-ядерных взаимодействий с ядрами 13C и 29Si на
удаленных координационных сферах в триплетных спиновых центрах в виде …
удаленных координационных сферах в триплетных спиновых центрах в виде …
Fine Structure of the 3T1(3H) → 5E(5D) Transition in the Fe2+ Ion in Iron-Doped Zinc Selenide
VS Krivobok, DF Aminev, EE Onishchenko… - JETP Letters, 2023 - Springer
Zero-phonon components of the 3T1 (3H)→ 5E (5D) transition between inner shells of the
Fe2+ ion have been detected in low-temperature photoluminescence spectra of Fe-doped …
Fe2+ ion have been detected in low-temperature photoluminescence spectra of Fe-doped …
Релаксационные процессы и когерентные спиновые манипуляции для триплетных Si-C дивакансий в карбиде кремния, десятикратно обогащенном изотопом …
РА Бабунц, ЮА Успенская, АП Бундакова… - Письма в Журнал …, 2022 - mathnet.ru
Когерентные спиновые манипуляции ансамблей центров окраски в виде нейтральных
VSi-VC дивакансий со спином S= 1 в гексагональном политипе карбида кремния 6H-SiC …
VSi-VC дивакансий со спином S= 1 в гексагональном политипе карбида кремния 6H-SiC …
[PDF][PDF] Enrique Gándara Iglesias
N DE SIC - 2024 - ru.dgb.unam.mx
En los últimos años, se han logrado avances significativos en el campo de los dispositivos
basados en la física de semiconductores, que revolucionaron varias industrias, incluida la …
basados en la física de semiconductores, que revolucionaron varias industrias, incluida la …