具有高电流增益-击穿电压优值的新型应变Si/SiGe HBT
金冬月， 胡瑞心， 张万荣， 高光渤， 王肖， 付强… - 北京工业大学 …, 2015 - journal.bjut.edu.cn
为了改善器件的高压大电流处理能力, 利用SILVACOTCAD 建立了应变Si/SiGe HBT 模型,
分析了虚拟衬底设计对电流增益的影响. 虚拟衬底可在保持基区-集电区界面应力不变的情况下 …
分析了虚拟衬底设计对电流增益的影响. 虚拟衬底可在保持基区-集电区界面应力不变的情况下 …
Using complementary silicon-germanium transistors for design of high-performance rf front-ends
S Seth - 2012 - repository.gatech.edu
The objective of the research presented in this dissertation is to explore the achievable
dynamic range limits in high-performance RF front-ends designed using SiGe HBTs, with a …
dynamic range limits in high-performance RF front-ends designed using SiGe HBTs, with a …