Модель термоупругих напряжений и плотности дислокаций в кристаллах GaAs, выращиваемых из расплава

АП Оксанич, АВ Вашерук, ПА Хозя - Сложные системы и процессы, 2007 - elibrary.ru
Разработана математическая модель, которая дает правильное представление о
влиянии характера температурного поля и параметров технологического процесса на …

[PDF][PDF] МЕТОДЫ, МОДЕЛИ И ИНФОРМАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ МОНИТОРИНГА И ОПТИМИЗАЦИИ ПРОЦЕССА ВЫРАЩИВАНИ% МОНОКРИСТАЛЛОВ …

ИВ Шевченко - 2015 - nure.ua
Актуальность работы. Развитие интеллектуальных технологий извлечения и
обработки информации достигло уровня, который позволяет значительно повысить …

[PDF][PDF] ИССЛЕДОВАНИЕ СПЕКТРОВ ФОТОЛЮМИНИСЦЕНЦИИ И ИХ СВЯЗЬ С ПЛОТНОСТЬЮ ДИСЛОКАЦИЙ В ПЛАСТИНАХ ПИН GaAs С РАЗЛИЧНОЙ …

АП Оксанич, ВВ Батареев… - СИСТЕМНОЕ …, 2007 - journals.nmetau.edu.ua
Отклонение состава кристалла GaAs от стехиометрического оказывает большое
влияние на его полупроводниковые свойства. Избыток одного из компонентов …

[引用][C] Влияние тепловых условий на термоупругие напряжения в слитках ПИН GaAs, выращиваемых по LEC технологии

АП Оксанич, IВ Шевченко, ВА Тербан - Прикладная радиоэлектроника.–2011 …, 2011

[引用][C] Кременчугский национальный университет имени Михаила Остроградского E-mail: kafius@ kdu. edu. ua

[引用][C] ВИРТУАЛЬНЫЙ ДАТЧИК ДЛЯ МОНИТОРИНГА РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПРИМЕСИ ПО ДЛИННЕ СЛИТКА В ТЕПЛОВОМ УЗЛЕ УСТАНОВКИ ДЛЯ …

АВ Луговой, ОС Притчин - ІТ-Тренди: соціальні медіа, великі дані, штучний …, 2015

[引用][C] ВЛИЯНИЕ ПАРАМЕТРОВ ПРОЦЕССА ОТЖИГА НА ПЛОТНОСТЬ ДИСЛОКАЦИЙ В СЛИТКАХ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ

АП Оксанич, СЭ Притчин - Напівпровідникові матеріали, інформаційні …